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  • 型号: FDW2503NZ
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDW2503NZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW2503NZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDW2503NZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDW2503NZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDW2503NZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDW2503NZ是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双N沟道MOSFET阵列,采用SO-8封装,具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理的场景。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流电路和负载开关,提升电源转换效率,降低功耗。  
2. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池管理与电源切换系统,因其小型封装和低损耗特性,有助于节省空间并延长电池续航。  
3. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中,实现正反转与调速控制。  
4. LED驱动:在背光驱动或LED照明调光电路中作为开关元件,提供稳定高效的电流控制。  
5. 热插拔与电源排序:在服务器、通信设备中用于控制电源上电时序,防止浪涌电流损坏电路。  

FDW2503NZ具备优良的热稳定性和可靠性,适合在工业控制、消费电子及通信设备等多种环境中使用。其集成化设计减少了外围元件数量,简化了PCB布局,提升了系统整体稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH DUAL 20V 5.5A 8-TSSO

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FDW2503NZ

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

PowerTrench®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1286pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 5.5A,4.5V

供应商器件封装

8-TSSOP

功率-最大值

600mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.5A

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