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PSMN1R2-25YL,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R2-25YL,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R2-25YL,115价格参考¥3.45-¥3.45。NXP SemiconductorsPSMN1R2-25YL,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 100A(Tc) 121W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R2-25YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R2-25YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R2-25YL,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 PSMN1R2-25YL,115 常用于电源管理系统中,特别是在 DC-DC 转换器、线性稳压器和开关模式电源(SMPS)中。它能够高效地控制电流的开关,减少能量损耗,提高系统的整体效率。由于其低导通电阻(Rds(on)),在大电流应用中可以显著降低发热,提升系统的可靠性和稳定性。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。它的快速开关特性和低导通电阻使其适合高频 PWM(脉宽调制)控制,能够实现精确的速度和位置控制。此外,它还可以用于电动工具、家用电器等需要高效电机驱动的应用中。 3. 负载开关 PSMN1R2-25YL,115 可作为负载开关使用,用于控制电路中的电源通断。它可以快速响应负载变化,确保在启动或关闭时不会产生过大的电流冲击。这种特性使其适用于消费电子设备、通信设备和工业控制系统中的电源管理模块。 4. 电池保护 在电池管理系统(BMS)中,MOSFET 可以用作电池充放电路径的开关。PSMN1R2-25YL,115 的低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失,延长电池寿命。同时,它还可以通过快速切断电流来防止过流、短路等故障情况的发生。 5. 汽车电子 该 MOSFET 也广泛应用于汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明控制、车身控制模块(BCM)等。其耐高温、抗电磁干扰能力强的特点,使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总的来说,PSMN1R2-25YL,115 以其出色的性能和可靠性,在多个领域中发挥着重要作用,尤其是在需要高效、快速开关和低功耗的应用场景中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-CH 25V 1.2 mOhm Logic Level MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R2-25YL,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R2-25YL,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 121 W |
| Pd-功率耗散 | 121 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 下降时间 | 56 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6380pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4909-2 |
| 典型关闭延迟时间 | 94 ns |
| 功率-最大值 | 121W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |