Datasheet下载- 型号： STB8N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB8N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB8N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTB8N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB8N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB8N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的型号 STB8N65M5 是一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型晶体管，常用于高电压和中等电流的应用场景。该器件具有较高的击穿电压（650V）和良好的导通电阻特性，适合需要高效能与稳定性的电源管理应用。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC/DC转换器、适配器、充电器等电源模块，因其高耐压和低导通损耗，有助于提升整体效率。 2. 电机驱动：可用于工业自动化设备中的直流电机或步进电机控制电路，提供快速开关响应。 3. 照明系统：如LED路灯、工业照明等高功率照明设备中的恒流驱动或调光控制。 4. 家用电器：如电磁炉、电饭煲、洗衣机等家电产品中的功率控制部分。 5. 新能源领域：例如太阳能逆变器、储能系统中的DC-DC转换电路，作为功率开关使用。 此外，该器件采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在中高功率密度设计中使用。其栅极驱动简单、抗过载能力强，也适合嵌入式控制系统中的功率负载切换。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAKMOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB8N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB8N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 600 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21007 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-10875-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF251197?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
| 系列 | STB8N65M5 |
| 配置 | Single |
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