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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供VND5N07-E由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VND5N07-E价格参考。STMicroelectronicsVND5N07-E封装/规格:PMIC - 配电开关,负载驱动器, 。您可以下载VND5N07-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有VND5N07-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的VND5N07-E是一款单通道高压侧智能功率开关,属于PMIC中的配电开关/负载驱动器类别。该器件基于先进的VIPower M0-5技术制造,具有高集成度和出色的保护功能。 VND5N07-E的主要应用场景包括工业自动化、汽车电子和通用负载控制。在汽车领域,常用于驱动阻性或感性负载,如车灯、继电器、小型电机和加热元件等。其工作电压范围宽(最高可达60V),适合12V或24V车载电气系统,具备良好的抗瞬态电压能力,适应严苛的汽车环境。 在工业控制中,VND5N07-E可用于PLC(可编程逻辑控制器)、I/O模块、电磁阀驱动和电源管理单元,实现对负载的安全、高效通断控制。其内置过温保护、过流保护和短路保护功能,提升了系统可靠性。 此外,该器件具有低导通电阻(典型值为70mΩ),可减少功耗和发热,提高能效。采用环保的PowerSSO-36封装,散热性能良好,便于PCB布局与散热设计。 综上所述,VND5N07-E广泛应用于需要高可靠性和智能化负载控制的汽车与工业场景,是传统机械继电器和分立式功率器件的理想替代方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 70V 5A TO252MOSFET N-Ch 70V 5A OmniFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics VND5N07-EOMNIFET II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VND5N07-E |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 70 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 70 V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | VND5N07E |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 毫欧 |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 4 S |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 5A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 系列 | VND5N07-E |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |