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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF530NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF530NPBF价格参考¥1.13-¥1.41。International RectifierIRF530NPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF530NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF530NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF530NPBF 是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类中低频开关和功率控制场景。其主要特点包括高电流承载能力(连续漏极电流达17A)、耐压值高(Vds=100V),导通电阻较低,适合处理较大功率负载。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器中,实现高效电能转换; 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机控制电路中作为开关元件,控制启停与转速; 3. 逆变器与UPS系统:用于工频或高频逆变电路,将直流电转换为交流电; 4. 照明控制:适用于大功率LED驱动或HID灯镇流器; 5. 工业控制与继电器替代:用于固态继电器(SSR)或电磁负载驱动,提高响应速度与可靠性; 6. 消费电子与汽车辅助系统:如车载电源模块、风扇控制等。 IRF530NPBF采用TO-220封装,易于散热安装,具备良好的热稳定性和耐用性,适合工业环境和高可靠性要求的应用。由于其引脚直插设计,也常用于原型开发和教育实验中。该器件不适用于高频谐振或射频电路,更适合中低频开关操作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 17A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF530NPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF530NPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-GateCharge | 24.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 9A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF530NPBF |
| 功率-最大值 | 70W |
| 功率耗散 | 79 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 90 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 24.7 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf530n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf530n.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |