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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ33VALT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ33VALT1G价格参考。ON SemiconductorMMBZ33VALT1G封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MMBZ33VALT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ33VALT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMBZ33VALT1G是一款表面贴装的齐纳型瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件额定工作电压为33V,适用于低电压电子系统的保护。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)、USB接口保护、HDMI端口防护、音频/视频输入输出接口,以及各类数据传输线路(如I2C、SPI通信总线)。在这些应用中,MMBZ33VALT1G可有效吸收来自人体接触或环境产生的静电冲击(IEC 61000-4-2标准可达±15kV),防止敏感半导体器件因过压而损坏。 此外,该TVS二极管响应速度快、漏电流低、封装小巧(SOD-323),适合高密度PCB布局,广泛应用于工业控制设备、通信模块和家电控制板等对空间和可靠性要求较高的场合。其稳定的钳位性能和高耐用性,使其成为现代电子设备中理想的过压保护元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 26VWM 46VC SOT23TVS二极管阵列 33V 225mW Dual Common Anode |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor MMBZ33VALT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBZ33VALT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ33VALT1GOSDKR |
| 击穿电压 | 31.35 V |
| 功率-峰值脉冲 | 40W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 2 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 尺寸 | 1.3 mm W x 2.9 mm L x 0.94 mm H |
| 峰值浪涌电流 | 0.87 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 40 W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 26 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿(最小值) | 31.35V |
| 电压-反向关态(典型值) | 26V |
| 电压-箝位(最大值)@Ipp | 46V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 870mA |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | MMBZxxxALT1 |
| 通道 | 2 Channels |
| 钳位电压 | 46 V |