图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN23UN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN23UN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN23UN,135价格参考。NXP SemiconductorsPMN23UN,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN23UN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN23UN,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMN23UN,135 是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件采用DFN1006-3封装，具有小尺寸、低功耗和高开关效率的特点，适用于对空间和能效要求较高的便携式电子设备。 主要应用场景包括： 1. 便携式消费电子产品：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常用于电源管理开关、负载开关或电池供电路径控制，因其低静态电流和快速响应能力，有助于延长电池续航。 2. 电源管理电路：作为高端开关用于电压通断控制，适用于DC-DC转换器中的同步整流或电源多路复用，提升系统效率。 3. 信号开关应用：在低电压逻辑电路中用于信号通断控制，如I²C总线隔离或外设使能控制，得益于其低导通电阻（Rds(on)）和兼容低栅极电压的特性。 4. 物联网（IoT）设备：在传感器模块或无线通信模块（如蓝牙/Wi-Fi模组）中用于电源域隔离，实现按需供电以降低待机功耗。 5. 汽车电子中的低压系统：适用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理，满足AEC-Q101可靠性标准的部分严苛环境需求。 PMN23UN,135凭借其小型化封装和良好的热性能，特别适合高密度PCB布局，是现代电子设备中理想的开关元件选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMN23UN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7416-1 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A （Tsp） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
PMN23UN,135 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商