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  • 型号: IRF3205L
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3205L由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3205L价格参考。International RectifierIRF3205L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF3205L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF3205L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF3205L的晶体管属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单管MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关特性的场景。

 应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能有效降低功率损耗,提高电源效率。

2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机控制电路中作为功率开关使用,尤其适用于电动工具、电动车或工业自动化设备。

3. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或逆变器中,实现直流到交流的电能转换,支持高效能和高频率操作。

4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)以及车载充电器等,满足汽车工业对可靠性和效率的要求。

5. 工业自动化与控制:在PLC、伺服驱动器或工业电源模块中,用于实现高速开关控制和功率调节。

IRF3205L具有高耐用性和热稳定性,适合在中高功率应用中替代传统双极型晶体管(BJT),提升系统效率和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 55V 110A TO-262

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF3205L

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3247pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

146nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 62A,10V

供应商器件封装

TO-262

其它名称

*IRF3205L

功率-最大值

200W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

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