【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_NTMFD4901NFT1G】封装/厂家_NTMFD4901NFT1G中文资料_价格

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型号： NTMFD4901NFT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFD4901NFT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFD4901NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFD4901NFT1G封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（双），肖特基 Mosfet 阵列 30V 10.3A，17.9A 1.1W，1.2W 表面贴装 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）。您可以下载NTMFD4901NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFD4901NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMFD4901NFT1G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）制造的晶体管 - FET，MOSFET 阵列。该器件具有多个 MOSFET 单元集成在一个封装内，适用于多种应用场景，特别是在需要高效、紧凑和高性能电源管理的系统中。

 应用场景：

1. 电源管理：
   NTMFD4901NFT1G 适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高转换效率。在这些应用中，MOSFET 阵列能够实现快速开关操作，从而优化电源系统的性能。

2. 电机驱动：
   该器件可用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路。MOSFET 阵列的高电流承载能力和低导通电阻使其能够在高负载条件下稳定工作，同时保持较低的发热水平。这有助于延长电机的使用寿命，并提高系统的整体可靠性。

3. 电池管理系统（BMS）：
   在电动汽车（EV）和储能系统中，NTMFD4901NFT1G 可用于电池保护和充放电控制。MOSFET 阵列的低导通电阻和快速响应速度使其能够在电池过充、过放或短路等异常情况下迅速切断电流路径，确保电池的安全运行。

4. 消费电子产品：
   该器件广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理和充电电路。其紧凑的封装和高效的性能使得它成为小型化设计的理想选择，能够在有限的空间内提供强大的功能。

5. 工业自动化：
   在工业控制系统中，NTMFD4901NFT1G 可用于各种开关和驱动应用，如可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和执行器驱动。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。

6. 通信设备：
   该器件还可用于通信基础设施中的电源模块和信号处理电路，如基站、路由器和交换机。其低功耗和高效率特性有助于降低运营成本并提高系统的能源利用率。

总之，NTMFD4901NFT1G 凭借其优异的电气性能和紧凑的封装设计，广泛应用于各类电源管理、电机驱动、电池管理和工业自动化等领域，满足了现代电子设备对高效、可靠和紧凑解决方案的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFNMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 通道（双），肖特基
Id-ContinuousDrainCurrent	13.5 A
Id-连续漏极电流	13.5 A
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFD4901NFT1G-
mouser_ship_limit	该产品可能需要其他文件才能进口到中国。
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NTMFD4901NFT1G
Pd-PowerDissipation	1.9 W, 2.07 W
Pd-功率耗散	1.9 W, 2.07 W
Qg-GateCharge	19.1 nC, 42.7 nC
Qg-栅极电荷	19.1 nC, 42.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.5 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	6.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	15 ns, 16 ns
下降时间	4 ns, 7 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1150pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	9.7nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	6.5 毫欧 @ 10A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-DFN（5x6）
典型关闭延迟时间	14 ns, 25 ns
功率-最大值	1.1W
功率耗散	1.9 W, 2.07 W
包装	带卷（TR）
商标	ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	6.5 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerTDFN
封装/箱体	DFN-8-10
工厂包装数量	1500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	19.1 nC, 42.7 nC
标准包装	1,500
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	13.5 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13.5A
系列	NTMFD4901NF
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 20 V