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  • 型号: NTMFD4901NFT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFD4901NFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFD4901NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFD4901NFT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(双),肖特基 Mosfet 阵列 30V 10.3A,17.9A 1.1W,1.2W 表面贴装 8-DFN(5x6) 双标记(SO8FL-双通道-非对称)。您可以下载NTMFD4901NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFD4901NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFNMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(双),肖特基

Id-ContinuousDrainCurrent

13.5 A

Id-连续漏极电流

13.5 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFD4901NFT1G-

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产品型号

NTMFD4901NFT1G

Pd-PowerDissipation

1.9 W, 2.07 W

Pd-功率耗散

1.9 W, 2.07 W

Qg-GateCharge

19.1 nC, 42.7 nC

Qg-栅极电荷

19.1 nC, 42.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

6.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

6.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

15 ns, 16 ns

下降时间

4 ns, 7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1150pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-DFN(5x6)

典型关闭延迟时间

14 ns, 25 ns

功率-最大值

1.1W

功率耗散

1.9 W, 2.07 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

6.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

DFN-8-10

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

19.1 nC, 42.7 nC

标准包装

1,500

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

13.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13.5A

系列

NTMFD4901NF

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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