Datasheet下载- 型号： SPP11N65C3XKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPP11N65C3XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP11N65C3XKSA1价格参考。InfineonSPP11N65C3XKSA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SPP11N65C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP11N65C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 SPP11N65C3XKSA1 的晶体管属于功率MOSFET类别，主要用于高效能电源转换系统。其应用场景主要包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC/DC和DC/DC转换器，如PC电源、服务器电源和工业电源模块，因其具备高耐压（650V）和低导通电阻特性，可提升效率并减少发热。 2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器及工业自动化设备中的直流电机或BLDC电机控制电路，提供快速开关响应与稳定输出。 3. 照明系统：如LED路灯或商业照明的恒流驱动电源中，支持高频率工作以缩小变压器体积，并满足节能要求。 4. 消费电子产品：应用于充电器、适配器等便携设备电源部分，配合轻量化设计需求。 5. 新能源领域：例如光伏逆变器或储能系统的DC/AC变换环节，利用其强健的雪崩能量承受能力应对复杂工况。 该器件采用D2PAK封装，便于散热管理，适合表面贴装工艺，在75A电流等级下具备良好性价比，广泛服务于家电、通信、能源等行业。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP11N65C3XKSA1 |
| 产品型号 | SPP11N65C3XKSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 45 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 380 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 44 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 8.3 S |
| 系列 | SPP11N65 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000681046 |
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