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Datasheet下载- 型号： IRFS4310PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS4310PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS4310PBF价格参考。International RectifierIRFS4310PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS4310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS4310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的型号为IRFS4310PBF的MOSFET，属于功率MOSFET类别，常用于高效率、高频率的电源转换和电机控制应用。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等开关电源设计，因其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，可提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：广泛应用于直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，如电动工具、电动车控制器及工业自动化设备。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为功率开关元件，实现电能形式的高效转换。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、电池管理系统（BMS）以及车载电机控制模块，满足汽车环境对可靠性和耐温性的要求。 5. 工业控制系统：如PLC、伺服驱动器和变频器中，作为高频开关元件实现精准的电流控制。 该器件采用TO-262封装，具备良好的散热能力和较高的电流承载能力，适合中高功率应用。其设计兼顾性能与成本，是多种电力电子系统的常用选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 170nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
| Id-连续漏极电流 | 140 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS4310PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS4310PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 170 nC |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 78 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7670pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 170 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 140 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl4310.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl4310.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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