Datasheet下载- 型号： CSD19536KCS
- 制造商： Texas Instruments
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD19536KCS由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD19536KCS价格参考。Texas InstrumentsCSD19536KCS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD19536KCS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD19536KCS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD19536KCS 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款高性能 N 通道增强型硅基 MOSFET，属于 NexFET 系列。该器件主要应用于需要高效功率转换和低导通电阻的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：CSD19536KCS 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.5mΩ）使其非常适合用于高效的降压或升压 DC-DC 转换器中，能够减少功率损耗并提高系统效率。 - 开关模式电源 (SMPS)：在 SMPS 中作为主开关管或同步整流管，提供高效率和低热耗散。 2. 电机驱动 - 无刷直流电机 (BLDC)：用于驱动 BLDC 电机的逆变桥电路中，支持高效的功率传输和快速切换。 - 步进电机控制：适用于步进电机驱动器中的 H 桥电路，提供稳定的电流输出和低功耗。 3. 负载开关 - 在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中用作负载开关，实现快速开启/关闭功能，并降低待机功耗。 - 提供过流保护和短路保护能力，确保系统的安全性。 4. 电池管理系统 (BMS) - 用于锂电池组的充放电保护电路中，作为高侧或低侧开关，控制电池与负载之间的连接。 - 支持大电流应用，同时保持较低的温升。 5. 工业自动化 - 在工业控制领域中，用于驱动电磁阀、继电器或其他执行器，提供可靠的大电流切换能力。 - 应用于工业机器人中的伺服驱动系统，支持精确的运动控制。 6. 汽车电子 - 车载充电器 (OBC)：用于电动汽车或混合动力汽车的车载充电器中，提升功率密度和效率。 - LED 驱动：在汽车照明系统中，用于驱动高亮度 LED，提供稳定的工作电压和电流。 7. 通信设备 - 在基站电源、服务器电源等通信设备中，作为功率级开关元件，支持高频开关操作并减少能量损失。 特性总结 CSD19536KCS 的低 Rds(on)、高电流承载能力和快速开关速度，使其成为各种功率转换和驱动应用的理想选择。同时，其小型封装（如 QFN）有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO-220MOSFET 100V N-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 150 A |
| Id-连续漏极电流 | 259 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD19536KCSNexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD19536KCS |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| Qg-GateCharge | 118 nC |
| Qg-栅极电荷 | 118 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12000pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 296-37289-5 |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD19536KCS |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 307 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 150 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 150A （Ta） |
| 系列 | CSD19536KCS |
| 配置 | Single |
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