Datasheet下载- 型号： SIHP6N40D-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIHP6N40D-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHP6N40D-GE3价格参考。VishaySIHP6N40D-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIHP6N40D-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIHP6N40D-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIHP6N40D-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，主要应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压（400V）和较高电流承载能力的特点，适合用于以下几种典型应用场景： 1. 电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器）：该MOSFET可用于开关电源中的主开关元件，实现高效的能量转换。 2. 电机驱动电路：在直流电机或步进电机的驱动电路中，SIHP6N40D-GE3可作为功率开关，控制电机的启停与转速。 3. 照明系统（如LED驱动电源）：适用于高亮度LED照明的电源管理模块，提供稳定高效的电流控制。 4. 工业自动化设备：在工业控制与自动化系统中，作为负载开关或高频开关元件使用。 5. 消费类电子产品：如充电器、变频器等便携或家用电器中，用于电源管理与节能控制。 由于其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适合中高功率应用。在设计中常用于替代传统的双极型晶体管（BJT），以提高效率和可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 6A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIHP6N40D-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 311pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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