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Datasheet下载- 型号： SIE818DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIE818DF-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE818DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE818DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE818DF-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 75V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)。您可以下载SIE818DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE818DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE818DF-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、低功耗开关的电子系统中。其主要应用场景包括便携式电子产品（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备），用于电源管理、电池开关和负载切换，得益于其小封装和低导通电阻，有助于提升能效并节省空间。 该器件也适用于DC-DC转换器，尤其在同步整流电路中表现优异，可提高转换效率，降低发热。此外，SIE818DF-T1-GE3常用于电机驱动、LED驱动电路及各类电源开关应用，适合对尺寸和热性能要求较高的工业与消费类设备。 由于其具备良好的栅极电荷特性和快速开关能力，该MOSFET在高频工作环境下仍能保持较低的开关损耗，适用于紧凑型电源模块和高密度PCB设计。总体而言，SIE818DF-T1-GE3是一款高性能、高可靠性的功率开关器件，适用于追求小型化与高效率的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE818DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 38V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 其它名称 | SIE818DF-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
