ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIE818DF-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIE818DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIE818DF-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE818DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE818DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE818DF-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 75V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)。您可以下载SIE818DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE818DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE818DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 38V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.5 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（L） |
| 其它名称 | SIE818DF-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（L） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
推荐商品
SIE818DF-T1-GE3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商