【未分类_FQB4N20LTM】封装/厂家_FQB4N20LTM中文资料_价格

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型号： FQB4N20LTM
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N20LTM封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQB4N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB4N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB4N20LTM 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQB4N20LTM 的高电压耐受能力（200V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - 可用于降压或升压转换器，作为主开关管控制电流的通断。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中，该 MOSFET 可用作开关元件，通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机的速度和方向。
   - 其低导通电阻（典型值为 0.65Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。

 3. 负载开关
   - 在需要快速切换负载的应用中，如电池供电设备或便携式电子产品，FQB4N20LTM 可用作负载开关，实现高效的电源管理。
   - 其快速开关特性和低栅极电荷使得它能够在高频条件下稳定工作。

 4. 逆变器电路
   - 在小型逆变器设计中，FQB4N20LTM 可以用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变器场景。

 5. 保护电路
   - 该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护或电子保险丝等电路中，提供快速响应的保护功能。
   - 利用其低导通电阻特性，可以减少发热并提高系统的可靠性。

 6. 音频放大器
   - 在一些低成本音频放大器设计中，FQB4N20LTM 可用作输出级开关器件，帮助实现高效的能量传递。

 7. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中，如车窗升降器、座椅调节器或雨刷控制器，FQB4N20LTM 可用作驱动元件。
   - 其耐高压特性能够承受汽车电气系统中的瞬态电压冲击。

 8. LED 驱动
   - 在 LED 照明应用中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的亮度稳定且功耗较低。

 总结
FQB4N20LTM 的特点包括高耐压、低导通电阻和快速开关速度，适合应用于各种中小功率的电子设备中，特别是在需要高效能量转换和低功耗的场景下表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQB4N20LTM
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	310pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	5.2nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.35 欧姆 @ 1.9A，10V
供应商器件封装	D²PAK
功率-最大值	3.13W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	800
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.8A （Tc）