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  • 型号: FQB4N20LTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB4N20LTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB4N20LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB4N20LTM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB4N20LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB4N20LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 200V 3.8A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQB4N20LTM

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

310pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.2nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.35 欧姆 @ 1.9A,10V

供应商器件封装

D²PAK

功率-最大值

3.13W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

800

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.8A (Tc)

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