Datasheet下载- 型号： IRFZ48RSPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ48RSPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ48RSPBF价格参考。VishayIRFZ48RSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ48RSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ48RSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFZ48RSPBF是一种N沟道功率MOSFET，广泛应用于各种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该型号适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）中，提供高效的开关性能和低导通电阻（Rds(on)），从而降低功耗并提高系统效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，IRFZ48RSPBF可用于H桥或半桥电路，实现对直流电机或步进电机的精确控制。其高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合此类应用。 3. 负载切换：作为负载开关，该MOSFET可以安全地接通或断开大电流负载，例如LED照明、加热元件或其他高功率设备，同时保持较低的压降和热量产生。 4. 电池保护与管理：在电池管理系统（BMS）中，IRFZ48RSPBF可用作充放电保护开关，防止过流、短路或反向电压对电池造成损害。 5. 逆变器和太阳能系统：此MOSFET适用于小型逆变器设计，帮助将直流电转换为交流电，支持可再生能源系统的高效运行。 6. 汽车电子：尽管IRFZ48RSPBF不是车规级器件，但在某些非关键车载应用中（如电动车窗、座椅加热等），它仍可能被用作功率开关。 总之，IRFZ48RSPBF凭借其出色的电气特性和可靠性，成为众多工业、消费类及商业领域中不可或缺的组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAKMOSFET N-Chan 60V 50 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ48RSPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91296 |
| 产品型号 | IRFZ48RSPBFIRFZ48RSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 190 W |
| Pd-功率耗散 | 190 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | *IRFZ48RSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 210 ns |
| 功率-最大值 | 190W |
| 功率耗散 | 190 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 50 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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