Datasheet下载- 型号： SI4411DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4411DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4411DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4411DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4411DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4411DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4411DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器和负载开关，实现高效能和低功耗。 2. 电池供电设备：在便携式电子产品如智能手机、平板电脑中作为电源开关或逆向电流保护元件。 3. 电机控制与驱动：用于小型电机、风扇及继电器驱动电路中，具备快速开关能力和良好热稳定性。 4. 工业自动化：适用于工业控制系统中的功率开关，如PLC模块、传感器供电控制等。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制及电池管理系统（BMS）中。 该器件具有低导通电阻、高可靠性及小型封装（TSOP），适合高密度电路设计，广泛应用于中小型功率场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4411DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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