ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > NGD18N45CLBT4G
Datasheet下载- 型号： NGD18N45CLBT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD18N45CLBT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD18N45CLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGD18N45CLBT4G封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 500V 18A 115W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD18N45CLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGD18N45CLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 420ns/2.9µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 450V 18A DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGD18N45CLBT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V， 1 千欧， 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 4.5V， 7A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 500V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 18A |
| 输入类型 | 逻辑 |
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