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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NGD18N45CLBT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD18N45CLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGD18N45CLBT4G封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 500V 18A 115W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD18N45CLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGD18N45CLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGD18N45CLBT4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的450V、18A额定电流的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247-3封装,内置快速恢复反并联二极管,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=18A)、软关断特性和良好短路耐受能力。 其典型应用场景包括: - 工业变频器与电机驱动:用于中小功率(约3–7.5kW)三相交流电机调速控制,如泵、风机、压缩机等; - 感应加热设备:在中频(20–100kHz)谐振逆变电路中作为主开关器件,兼顾效率与开关性能; - 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于DC-AC升压/逆变级,尤其在单相或小容量三相系统中实现高效能量转换; - 电磁炉与高频焊接电源:利用其快速开关与低损耗特性,满足高频率(~20–50kHz)硬开关或准谐振工作需求; - 电焊机(MMA/逆变式):作为主功率开关,支持恒流/恒压输出调节及动态响应要求。 该器件设计注重可靠性与热稳定性,适用于工业级环境(工作结温-40°C至+175°C),但需配合合理散热设计与驱动保护(如负压关断、过流/过温检测)。不推荐用于高频(>100kHz)或超低压应用(如<100V DC总线),此时MOSFET可能更具优势。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td(开/关)值 | 420ns/2.9µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 450V 18A DPAK |
| 产品分类 | IGBT - 单路 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NGD18N45CLBT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V, 1 千欧, 5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.3V @ 4.5V, 7A |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | * |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 500V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 18A |
| 输入类型 | 逻辑 |