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  • 型号: NGD18N45CLBT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NGD18N45CLBT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGD18N45CLBT4G价格参考。ON SemiconductorNGD18N45CLBT4G封装/规格:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单, IGBT 500V 18A 115W Surface Mount DPAK。您可以下载NGD18N45CLBT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NGD18N45CLBT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NGD18N45CLBT4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的450V、18A额定电流的IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247-3封装,内置快速恢复反并联二极管,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8V @ IC=18A)、软关断特性和良好短路耐受能力。

其典型应用场景包括:  
- 工业变频器与电机驱动:用于中小功率(约3–7.5kW)三相交流电机调速控制,如泵、风机、压缩机等;  
- 感应加热设备:在中频(20–100kHz)谐振逆变电路中作为主开关器件,兼顾效率与开关性能;  
- 不间断电源(UPS)与光伏逆变器:适用于DC-AC升压/逆变级,尤其在单相或小容量三相系统中实现高效能量转换;  
- 电磁炉与高频焊接电源:利用其快速开关与低损耗特性,满足高频率(~20–50kHz)硬开关或准谐振工作需求;  
- 电焊机(MMA/逆变式):作为主功率开关,支持恒流/恒压输出调节及动态响应要求。

该器件设计注重可靠性与热稳定性,适用于工业级环境(工作结温-40°C至+175°C),但需配合合理散热设计与驱动保护(如负压关断、过流/过温检测)。不推荐用于高频(>100kHz)或超低压应用(如<100V DC总线),此时MOSFET可能更具优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
25°C时Td(开/关)值

420ns/2.9µs

产品目录

分立半导体产品

Current-CollectorPulsed(Icm)

50A

描述

IGBT 450V 18A DPAK

产品分类

IGBT - 单路

GateCharge

-

IGBT类型

-

品牌

ON Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

NGD18N45CLBT4G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

SwitchingEnergy

-

TestCondition

300V, 1 千欧, 5V

不同 Vge、Ic时的 Vce(on)

2.3V @ 4.5V, 7A

供应商器件封装

*

功率-最大值

115W

包装

*

反向恢复时间(trr)

-

安装类型

*

封装/外壳

*

标准包装

2,500

电压-集射极击穿(最大值)

500V

电流-集电极(Ic)(最大值)

18A

输入类型

逻辑

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