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型号： ZXMN6A09DN8TA
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A09DN8TA封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 60V 4.3A 1.25W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMN6A09DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A09DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZXMN6A09DN8TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。以下是该型号的主要应用场景：

1. 电源管理：  
   ZXMN6A09DN8TA 适用于各种电源管理场景，例如 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）和负载开关。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高系统效率。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 阵列适合用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机的控制。它能够提供高效的开关性能，支持电机的正转、反转和速度调节。

3. 消费电子设备：  
   在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子设备中，ZXMN6A09DN8TA 可用于电池充电管理、电源开关和信号切换等功能，确保设备的稳定运行。

4. 通信设备：  
   在路由器、交换机和其他网络设备中，该器件可用于电源分配网络（PDN）以及信号路径中的开关应用，以优化能源使用并减少热量产生。

5. 工业自动化：  
   该 MOSFET 阵列适用于工业控制系统中的继电器替代、传感器接口和信号隔离等应用。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣环境下正常工作。

6. 汽车电子：  
   尽管具体规格需确认是否满足车规级要求，但类似器件常用于车载电子系统中，如车内照明、风扇控制、座椅调节和信息娱乐系统的电源管理。

7. LED 驱动：  
   ZXMN6A09DN8TA 可用于 LED 照明系统的驱动电路中，通过精确的电流控制实现亮度调节和色彩管理。

总之，ZXMN6A09DN8TA 凭借其优异的电气特性和紧凑的封装形式，在需要高效开关和低功耗的应用领域具有广泛用途。具体应用时，需根据实际需求选择合适的外围电路设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICMOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-连续漏极电流	5.1 A
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZXMN6A09DN8TA
Pd-PowerDissipation	2.1 W
Pd-功率耗散	2.1 W
RdsOn-漏源导通电阻	40 mOhms
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	5 ns
下降时间	4.6 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1407pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	24.2nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	40 毫欧 @ 8.2A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	ZXMN6A09DN8CT
典型关闭延迟时间	25.3 ns
功率-最大值	1.25W
包装	剪切带（CT）
商标	Diodes Incorporated
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	40 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	60 V
漏极连续电流	5.1 A
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.3A
通道模式	Enhancement
配置	Dual Dual Drain