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  • 型号: ZXMN6A09DN8TA
  • 制造商: Diodes Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A09DN8TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A09DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A09DN8TA封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 4.3A 1.25W 表面贴装 8-SO。您可以下载ZXMN6A09DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZXMN6A09DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8-SOICMOSFET Dl 60V N-Chnl UMOS

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

5.1 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A09DN8TA-

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产品型号

ZXMN6A09DN8TA

Pd-PowerDissipation

2.1 W

Pd-功率耗散

2.1 W

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

4.6 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1407pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24.2nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 8.2A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

ZXMN6A09DN8CT

典型关闭延迟时间

25.3 ns

功率-最大值

1.25W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

40 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

5.1 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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