ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SMUN5212T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5212T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5212T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5212T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5212T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载SMUN5212T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5212T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5212T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类别。它广泛应用于需要高性能、高可靠性和精确控制的电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 信号放大 - SMUN5212T1G 可用于音频设备中的信号放大，例如耳机放大器或麦克风前置放大器。其预偏置特性有助于确保稳定的增益和低失真性能。 - 在工业自动化和通信领域，也可用于放大传感器信号或射频信号。 2. 开关应用 - 作为开关元件，SMUN5212T1G 能够在数字电路中实现高速切换。例如，在电源管理模块中，它可以用于控制负载的通断。 - 在 LED 驱动电路中，该晶体管可用于调节电流以实现亮度控制。 3. 电源管理 - 在线性稳压器或 DC-DC 转换器中，SMUN5212T1G 可用作功率晶体管，帮助调节输出电压并提高效率。 - 它还可以用于电池充电电路中，作为电流限制或保护元件。 4. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动电路中，SMUN5212T1G 能够提供足够的电流驱动能力，同时保持较低的功耗。 - 其预偏置设计简化了驱动电路的设计复杂度，适合需要快速响应的应用。 5. 通信与网络设备 - 在通信系统中，该晶体管可用于调制解调器、无线收发器等设备中的信号处理部分。 - 它的高频特性使其适用于数据传输速率较高的场景。 6. 消费电子 - 在家用电器（如遥控器、玩具、智能音箱等）中，SMUN5212T1G 可用于控制各种功能模块的运行状态。 - 它的小封装尺寸和高可靠性非常适合便携式设备的设计需求。 总结 SMUN5212T1G 的主要优势在于其预偏置特性，这使得它在设计时更加方便且易于使用。无论是在消费电子、工业控制还是通信领域，这款晶体管都能满足对性能和稳定性的严格要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BRT NPN 50V PB FR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5212T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5212T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 系列 | MUN5212 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
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