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产品简介:
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NTB4302T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效、高速开关性能的场合。该器件采用1.5A电流、30V电压的规格,适用于低功率电源管理系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制,提高能效并减小系统功耗。 2. 电机驱动:适用于小型电机或步进电机的驱动电路,提供快速开关响应和低导通电阻。 3. 负载开关与电源分配:作为电子负载开关,控制电源在不同模块间的通断,常用于便携式电子产品和嵌入式系统。 4. LED照明:用于LED驱动电路中,实现亮度调节和恒流控制。 5. 工业控制与自动化:在PLC、传感器模块和工业通信设备中用作开关元件。 该MOSFET具备低导通电阻(Rds(on))、小型封装(如SOT-23)和高可靠性,适合高密度电路设计和空间受限的应用环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 74A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB4302T4G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 24V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.3 毫欧 @ 37A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB4302T4GOS |
功率-最大值 | 80W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 74A (Tc) |