【晶体管 - FET，MOSFET - 单_PHB45NQ15T,118】封装/厂家_PHB45NQ15T,118中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PHB45NQ15T,118

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： PHB45NQ15T,118
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

PHB45NQ15T,118产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PHB45NQ15T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB45NQ15T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB45NQ15T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 150V 45.1A（Tc） 230W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB45NQ15T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB45NQ15T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia 的 PHB45NQ15T,118 是一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-263（D²PAK）封装，具有 150 V 耐压、45 A 连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 35 mΩ @ VGS=10 V，逻辑电平下@VGS=4.5 V 时约 52 mΩ），并具备强健的雪崩耐量与AEC-Q101认证（符合汽车级可靠性标准）。

其主要应用场景包括：  
✅ 汽车电子：车载电源管理（如DC-DC转换器次级侧同步整流、LED车灯驱动、电机控制模块中的高边/低边开关）、车身控制单元（BCM）中的负载开关与继电器替代；  
✅ 工业电源：中功率开关电源（SMPS）、UPS系统、电池管理系统（BMS）中的充放电保护与隔离开关；  
✅ 电机驱动：中小功率直流无刷（BLDC）电机或步进电机的H桥驱动单元，尤其适用于需逻辑电平直接驱动（兼容3.3V/5V MCU）的紧凑型设计；  
✅ 通用高可靠性开关应用：如智能电表、固态继电器（SSR）、热插拔电路及过流保护模块等。

该器件凭借低开关损耗、高热效率（大面积铜焊盘增强散热）和车规认证，特别适合对可靠性、能效与空间受限有较高要求的中高功率开关场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	NXP Semiconductors
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	PHB45NQ15T,118
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchMOS™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1770pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	32nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	42 毫欧 @ 20A，10V
供应商器件封装	D2PAK
其它名称	568-2192-1
功率-最大值	230W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	45.1A （Tc）