Datasheet下载- 型号： SI1012R-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1012R-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1012R-T1-E3价格参考。VishaySI1012R-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1012R-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1012R-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1012R-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关和负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电池供电设备：在电池管理系统中作为高侧或低侧开关，控制电池充放电路径，保护电路免受过流或短路损害。 3. 负载开关：用于控制如传感器、显示屏等外设的供电，实现节能和快速启停。 4. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为高频开关元件，提升转换效率，适用于小型化电源模块。 5. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中，作为功率开关实现方向或速度控制。 6. 工业自动化：用于工业控制设备中的继电器替代方案，提供更快的响应速度和更高的可靠性。 该器件采用小型封装（如TSOP），适合空间受限的设计，且支持低栅极驱动电压，适用于3.3V或更低电压系统。其高可靠性和集成特性使其在消费电子、通信设备及工业控制系统中广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1012R-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.75nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 700 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
| 其它名称 | SI1012R-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75A |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
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