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BUK9Y22-100E,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y22-100E,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y22-100E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y22-100E,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 49A(Tc) 147W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载BUK9Y22-100E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9Y22-100E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y22-100E,115 是一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。其应用场景主要包括: 1. 电源转换系统:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提升能源利用率。 2. 电机控制:在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中,用于开关控制,实现对电机速度和方向的调节。 3. 负载开关:用于智能电源管理,如笔记本电脑、服务器和工业控制系统中的电源开关,实现对不同负载的高效控制。 4. 电池管理系统:应用于电池供电设备中,如电动车、储能系统和便携式设备,用于电池充放电管理与保护。 5. 工业自动化:在PLC、继电器替代方案和自动化控制系统中,作为高频开关元件使用。 该MOSFET具备高耐用性和稳定性能,适合在高温度和高电流环境下运行,适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 49A LFPAKMOSFET N-channel 100 V 22 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 49 A |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9Y22-100E,115TrenchMOS™ |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK9Y22-100E,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 147 W |
| Pd-功率耗散 | 147 W |
| Qg-GateCharge | 35.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 35.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 32.3 ns |
| 下降时间 | 31.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 21.5 毫欧 @ 15A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10975-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 53.4 ns |
| 功率-最大值 | 147W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 49A (Tc) |
| 配置 | Triple Common Source |