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Datasheet下载- 型号： FDC637BNZ
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FDC637BNZ产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC637BNZ由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC637BNZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDC637BNZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 6.2A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6。您可以下载FDC637BNZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC637BNZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDC637BNZ是一款N沟道增强型MOSFET，属于小信号MOSFET器件，广泛应用于低电压、低功耗的开关和信号控制场景。该器件采用1.2V至4.5V的栅极驱动电压，具备低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关特性，适合电池供电设备和便携式电子产品。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理与负载开关；用于LED驱动电路中的开关控制；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关元件；还可用于电机驱动、继电器驱动等中小功率开关电路。其小型化的封装（如SC-70或SOT-723）节省PCB空间，非常适合高密度布局的消费类电子设备。 此外，FDC637BNZ具有良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、家用电器中的逻辑控制模块以及各类需要快速响应和低静态功耗的数字开关应用。由于其低阈值电压和高输入阻抗，也常用于电平转换电路和信号路由系统中。总体而言，该MOSFET在追求高效能、小型化和节能设计的现代电子系统中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOTMOSFET 20V N-Channel 2.5V Spec PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDC637BNZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDC637BNZ |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1600 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 895pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 24 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 其它名称 | FDC637BNZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 36 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SSOT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A （Ta） |
| 系列 | FDC637BNZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
