Datasheet下载- 型号： PSMN027-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN027-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN027-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN027-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN027-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN027-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PSMN027-100PS,127是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-127（即TO-220AB）封装，具有100V漏源电压（VDS）、27mΩ典型导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）、连续漏极电流达75A（Tc=25°C），并具备良好的雪崩耐量与热稳定性。 该器件主要应用于中高功率开关场景，典型包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL（Point-of-Load）模块，凭借低RDS(on)提升效率； ✅ 电机驱动：用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥上/下管，支持10V逻辑电平直接驱动（兼容微控制器GPIO）； ✅ 电源管理与负载开关：在工业PLC、LED驱动电源、电池供电系统中作主功率开关或电子保险丝（配合过流保护电路）； ✅ 逆变器与UPS系统：适用于离线式不间断电源的后级DC-AC桥式逆变单元，承担高频开关任务； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101（注：需确认具体批次是否通过车规认证，标准版为工业级，但部分应用中用于车载照明、风扇控制等非安全关键场景）。 其TO-220封装便于散热设计，适合需要良好热管理的中等功率密度应用。注意：实际使用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、配备足够散热器，并确保PCB铜箔面积满足热耗散要求（PD≈130W @ Tc=25°C）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN027-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN027-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 103 W |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 上升时间 | 11.4 ns |
| 下降时间 | 8.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1624pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5775 |
| 典型关闭延迟时间 | 29.6 ns |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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