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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXKN40N60C由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKN40N60C价格参考。IXYSIXKN40N60C封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXKN40N60C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXKN40N60C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXKN40N60C是一款N沟道MOSFET晶体管,主要应用于高功率和高电压场合。该器件具有40A的连续漏极电流和600V的漏源击穿电压,适合用于电源转换、电机控制、工业自动化设备以及不间断电源(UPS)系统中。此外,IXKN40N60C也常用于逆变器、DC-AC转换器及高频开关电源等电力电子设备中,因其具备良好的导通特性和快速开关能力,有助于提升系统效率并减少能量损耗。由于其高耐压和大电流能力,该MOSFET也可应用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电设备中,以满足高可靠性与高性能的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227BMOSFET 40 Amps 600V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXKN40N60CCoolMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXKN40N60C |
| Qg-GateCharge | 250 nC |
| Qg-栅极电荷 | 250 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 250nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 70 毫欧 @ 500mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A |
| 系列 | IXKN40N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |