Datasheet下载- 型号： DMP2008UFG-7
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2008UFG-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2008UFG-7价格参考。Diodes Inc.DMP2008UFG-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMP2008UFG-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP2008UFG-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMP2008UFG-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理： DMP2008UFG-7 适用于各种电源管理电路，例如 DC-DC 转换器、负载开关和 LDO（低压差稳压器）。它的低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功耗，提高效率。 2. 电池保护与充电电路： 在便携式设备中，该 MOSFET 可用于电池保护电路，控制电池的充放电过程。它能够快速响应过流或短路情况，从而保护电池和相关电路。 3. 电机驱动： 该型号适合小型直流电机的驱动应用，例如玩具、家用电器中的风扇或泵等。其高电流处理能力和快速开关速度使其成为理想的驱动元件。 4. 信号切换： 在通信设备或工业控制系统中，DMP2008UFG-7 可用作信号切换开关，实现不同信号路径的选择和隔离。 5. 负载开关： 在消费电子设备（如智能手机、平板电脑）中，该 MOSFET 常用于负载开关以实现高效的电源分配和管理，减少待机功耗。 6. ESD 保护： 凭借其良好的电气特性和封装设计，该器件也可用于静电放电（ESD）保护电路，确保敏感电子组件的安全。 总结来说，DMP2008UFG-7 的紧凑封装（如 UFG 封装）和高性能参数使其非常适合空间受限且需要高效功率转换的应用场合，广泛应用于消费类电子产品、工业控制、通信设备以及电池管理系统等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 12A POWERDIMOSFET 20V P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2008UFG-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP2008UFG-7 |
| Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
| Pd-功率耗散 | 2.2 W |
| Qg-GateCharge | 75 nC |
| Qg-栅极电荷 | 75 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V to - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.4 V to - 1 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 124 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6909pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 毫欧 @ 12A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 其它名称 | DMP2008UFG-7DITR |
| 典型关闭延迟时间 | 291 ns |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PowerDI3333-8 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 42 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | DMP2008 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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