Datasheet下载- 型号： SI3441BDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3441BDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3441BDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3441BDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3441BDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3441BDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3441BDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）： 该器件具有低导通电阻（Rds(on)），适合用于高效能的 DC-DC 转换器、开关模式电源和电压调节模块（VRM）。其快速开关特性和低损耗特性使其成为高频开关应用的理想选择。 2. 负载开关： 在便携式设备和消费电子中，SI3441BDV 可用作负载开关，用于控制电路中的电流流动。它能够实现快速开启/关闭，并减少功耗。 3. 电机驱动： 适用于小型直流电机或步进电机驱动，提供高效的功率传输和控制能力。其低 Rds(on) 减少了电机运行时的热损耗。 4. 电池管理： 常用于锂电池保护电路或电池管理系统（BMS），以实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制等功能。 5. POL 转换器： 点-of-负载 (POL) 转换器需要高效率和紧凑设计，SI3441BDV 的性能可以满足这些需求，特别适合服务器、通信设备等高性能计算环境。 6. 信号切换： 在音频设备或数据通信系统中，可以用作信号路径上的模拟开关，确保低失真和高可靠性。 7. 汽车电子： 尽管具体规格需验证是否符合车规级标准，但类似的 MOSFET 广泛应用于汽车电子领域，如车身控制模块、LED 驱动器和电动助力转向系统。 总结来说，SI3441BDV-T1-GE3 的主要优势在于其低导通电阻、小封装尺寸以及出色的电气性能，因此非常适合各种需要高效功率转换和控制的应用场合，尤其是在便携式设备、工业自动化及消费电子产品中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOPMOSFET 20V 2.9A 1.25W 130mohm @ 2.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.45 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.45 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3441BDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3441BDV-T1-GE3SI3441BDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 860 mW |
| Pd-功率耗散 | 860 mW |
| Qg-GateCharge | 5.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 860mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.45A （Ta） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3441BDV-GE3 |
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