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Datasheet下载- 型号： IRFH7914TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFH7914TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH7914TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH7914TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH7914TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH7914TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH7914TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFH7914TR2PBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能、低导通电阻的MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流电源模块等，尤其在降压（Buck）和升压（Boost）电路中表现优异，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高电源效率。 2. 电池供电设备：常用于便携式电子产品如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，作为负载开关或电源切换元件，有助于延长电池续航时间。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机控制电路中，IRFH7914TR2PBF可用于H桥或半桥驱动结构，实现高效、快速的开关控制。 4. LED照明驱动：适用于高亮度LED驱动电源，支持恒流调节与脉宽调制（PWM）调光，提升系统能效与稳定性。 5. 消费类电子与工业控制：广泛用于家电控制板、智能插座、电源适配器及工业自动化设备中的开关电源和功率控制模块。 该器件采用TSDS-6封装，具有良好的热性能和紧凑尺寸，适合空间受限的高密度PCB设计。同时符合RoHS标准，无铅环保，适用于对可靠性和能效要求较高的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56MOSFET MOSFT 30V 14A 8.7mOhm 8.1nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
| Id-连续漏极电流 | 15 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH7914TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH7914TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| Qg-GateCharge | 8.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1160pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.7 毫欧 @ 14A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH7914TR2PBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5x6 |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 77 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Ta）， 35A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh7914pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh7914pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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