Datasheet下载- 型号： SI4888DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4888DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4888DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4888DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4888DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4888DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4888DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括以下领域： 1. 电源管理： 该器件适用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、负载开关和电池管理电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性可降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SI4888DY-T1-GE3 可用作功率开关，驱动直流电机或步进电机，支持高效启动、停止和调速功能。 3. 消费电子设备： 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理模块，确保设备在低功耗模式下的高效运行。 4. 通信设备： 用于网络路由器、交换机和基站中的信号调节和功率分配，提供快速开关和低损耗性能。 5. 汽车电子： 在车载电子系统中（如信息娱乐系统、LED 照明和传感器接口），该 MOSFET 可实现高可靠性和稳定性。 6. 保护电路： 作为过流保护或短路保护开关，防止电路因异常电流而损坏。 其优异的电气特性和紧凑的封装（TSSOP 封装）使其非常适合需要高效率、小尺寸和低热耗散的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4888DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
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