数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN2005UFG-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN2005UFG-7价格参考。Diodes Inc.DMN2005UFG-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN2005UFG-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN2005UFG-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated 的 DMN2005UFG-7 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种低电压、中等功率应用场景。该器件采用先进的 Trench MOS 工艺,具有低导通电阻(Rds(on))、高效率和良好热性能,常用于以下领域: 1. 电源管理:如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、平板和智能手机等便携设备的电源系统。 2. 电池供电设备:由于其低导通损耗和小封装(如 SOT26),适合用于电池管理系统(BMS)和电源开关控制。 3. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,如无人机、机器人、电动工具等。 4. LED 照明:作为开关元件用于 LED 驱动电路,实现高效调光与恒流控制。 5. 负载开关与电源分配:在多路供电系统中用作电子开关,控制不同模块的供电启停。 6. 工业控制与自动化:用于 PLC、传感器模块、继电器替代方案等工业设备中。 DMN2005UFG-7 因其高性能与小尺寸,广泛应用于对空间和效率要求较高的现代电子设备中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 200MA POWERDI-8 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Diodes Incorporated |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | DMN2005UFG-7 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | * |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | * |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.6 毫欧 @ 13.5A,4.5V |
供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
其它名称 | DMN2005UFG-7DIDKR |
功率-最大值 | 1.05W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | * |