Datasheet下载- 型号： SI1069X-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1069X-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1069X-T1-GE3价格参考。VishaySI1069X-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1069X-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1069X-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1069X-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换和电压调节，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品。 2. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为高边或低边开关，提高转换效率，广泛用于各类电源模块和适配器中。 3. 电机控制与负载驱动：用于控制小型电机、继电器或 LED 灯串的开关操作，常见于工业自动化设备和消费类电子产品中。 4. 保护电路：作为反向电流阻断器件或过载保护开关，用于防止电源反接或短路损坏系统。 5. 汽车电子：在车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）中实现高效、可靠的开关控制。 该器件具有低导通电阻、小封装、高可靠性等优点，适合高密度电路设计和空间受限的应用场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 940MA SC89-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，2.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1069X-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 308pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.86nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 184 毫欧 @ 940mA，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-89-6 |
| 其它名称 | SI1069X-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 236mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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