Datasheet下载- 型号： SI7431DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7431DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7431DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7431DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7431DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7431DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7431DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理： 该器件适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和负载开关等应用。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗，提高效率。 2. 电机驱动： 在小型电机控制中，SI7431DP-T1-GE3 可作为开关元件，用于驱动步进电机、直流无刷电机（BLDC）或其他低功率电机。其快速开关速度和低损耗特性适合高频 PWM 控制。 3. 电池管理： 常用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池保护电路或充电电路。它可以用作电池的充放电开关，确保过流、短路保护等功能。 4. 负载切换： 在汽车电子、工业自动化和消费电子产品中，该 MOSFET 能够实现负载的动态开启与关闭，同时减少能量损失。 5. 信号调节： 在需要高精度信号处理的场合，例如音频放大器或传感器接口，可以利用此 MOSFET 提供低噪声、低失真的性能。 6. 逆变器和太阳能系统： 在微型逆变器或分布式光伏系统中，SI7431DP-T1-GE3 可以用作功率级开关，支持高效的能量转换。 7. LED 驱动： 在 LED 照明应用中，这款 MOSFET 能够精确调节电流，从而实现恒流驱动，并保持较高的能效比。 总结来说，SI7431DP-T1-GE3 凭借其出色的电气特性和紧凑封装（DFN2020-8），非常适合低电压、高效率的应用场景，尤其是在移动设备、消费类电子产品和工业控制领域中发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7431DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 135nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 174 毫欧 @ 3.8A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7431DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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