Datasheet下载- 型号： NVD3055L170T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD3055L170T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD3055L170T4G价格参考。ON SemiconductorNVD3055L170T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD3055L170T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD3055L170T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD3055L170T4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款增强型功率MOSFET，属于N沟道场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优异的热性能，适用于高电流、高效率的电源转换应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，特别是在中高功率的降压（Buck）和升压（Boost）拓扑结构中，提供高效能的电能转换。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具及家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受较高的脉冲电流并实现快速响应。 3. 汽车电子：由于该型号具备AEC-Q101车规认证，常用于汽车电源系统，如车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）、照明控制模块和发动机舱内的负载开关等。 4. 新能源领域：在太阳能逆变器、储能系统等可再生能源设备中，作为关键开关元件参与能量转换与调节。 5. 工业与消费类电子：可用于UPS不间断电源、适配器、LED驱动电源等对效率和可靠性要求较高的场合。 NVD3055L170T4G采用TO-263（D²PAK）封装，便于散热设计，适合表面贴装工艺，有助于提升系统集成度和生产效率。其高可靠性和稳定的高温工作性能，使其在严苛环境中仍能保持良好表现。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD3055L170T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 170 毫欧 @ 4.5A，5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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