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  • 型号: CCS050M12CM2
  • 制造商: Cree
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CCS050M12CM2由Cree设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CCS050M12CM2价格参考。CreeCCS050M12CM2封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 6 N-沟道(3 相桥) Mosfet 阵列 1200V(1.2kV) 87A(Tc) 337W 底座安装 模块。您可以下载CCS050M12CM2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CCS050M12CM2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-InputCapacitance

2.81 nF

Ciss-输入电容

2.81 nF

描述

MODULE SIC 1.2KV 87A SIX-PACK分立半导体模块 1200V, 50A, SiC Six pack Module

产品分类

FET - 模块分离式半导体

FET功能

碳化硅 (SiC)

FET类型

6 N-沟道(3 相桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

87 A

Id-连续漏极电流

50 A

品牌

Cree Inc

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

分立半导体模块,Cree, Inc. CCS050M12CM2Z-FET™ Z-Rec™

数据手册

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产品型号

CCS050M12CM2

Pd-PowerDissipation

312 W

Pd-功率耗散

312 W

Qg-GateCharge

180 nC

Qg-栅极电荷

180 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

25 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

25 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

1.2 kV

Vds-漏源极击穿电压

1.2 kV

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 10 V, + 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 10 V, + 25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.3 V

上升时间

19 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 2.5mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2.810nF @ 800V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 20V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

34 毫欧 @ 50A, 20V

产品

Power Semiconductor Modules

产品种类

分立半导体模块

供应商器件封装

模块

保持电流Ih最大值

-

典型关闭延迟时间

50 ns

典型延迟时间

-

功率-最大值

337W

包装

散装

反向电压

-

商标

Cree, Inc.

安装类型

底座安装

安装风格

Through Hole

封装/外壳

模块

封装/箱体

Six-Pack-28

工作温度

-

工作电源电压

-

技术类型

-

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

-

最小工作温度

-

栅极触发电流-Igt

-

标准包装

1

正向电压下降

-

正向跨导-最小值

21 S

漏源极电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

87A

类型

Six-Pack SiC Modules

系列

CCS050M12CM2

负载电压

800 V

输出电流

-

通道模式

Enhancement

配用

/product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824

配置

Three Phase - PFC Modules

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