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- 型号： STI10N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI10N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI10N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTI10N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI10N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI10N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的型号为STI10N62K3的晶体管是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于MOSFET-单系列。该器件具有620V的高漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，采用先进的“超级结”技术（Super Junction），具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优异的热稳定性。 STI10N62K3主要应用于需要高能效和高电压操作的电源系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS），如服务器、电信设备和工业电源；LED照明驱动电源，尤其适用于高亮度、大功率LED恒流驱动；空调、冰箱等白色家电中的PFC（功率因数校正）电路；以及太阳能逆变器、UPS不间断电源和电池充电系统等新能源与工业控制领域。 由于其具备出色的动态性能和较低的栅极电荷，STI10N62K3在高频开关条件下仍能保持低损耗，有助于提升整体系统能效，符合现代电子产品对节能环保的需求。同时，该器件采用TO-220FP或类似封装，具备良好的散热性能和可靠性，适合在严苛工作环境下长期稳定运行。 总之，STI10N62K3是一款高性能高压MOSFET，广泛用于高效率、高电压的电力电子转换系统中，特别适合注重能效与可靠性的工业与消费类电源应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 8.4A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI10N62K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-12256 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF245701?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
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