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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMV16UN,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMV16UN,215价格参考。NXP SemiconductorsPMV16UN,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMV16UN,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMV16UN,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc.的型号PMV16UN,215是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于单沟道增强型功率MOSFET。该器件主要适用于中低功率的开关应用,具备良好的导通电阻和开关速度性能。 其典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压模块等,实现高效的能量转换; 2. 负载开关:控制电池供电系统中的负载通断,如便携设备电源控制; 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用; 4. LED照明控制:用于调光或开关控制,特别是在汽车照明系统中; 5. 工业自动化:在PLC或其他控制系统中用作电子开关; 6. 消费类电子产品:如智能家电、充电器、电源适配器等产品中的功率控制部分。 由于其封装小巧(如TSOP)、响应速度快及功耗低等特点,适合高密度PCB布局和高频开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23MOSFET Small Signal MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMV16UN,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMV16UN,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 510 mW |
| Pd-功率耗散 | 510 mW |
| Qg-GateCharge | 7.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 5.8A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-7533-6 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 15 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 18 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 5.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Ta) |
| 配置 | Single |