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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW254PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW254PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDW254PZ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDW254PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDW254PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW254PZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适用于需要高效能和可靠性的电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:FDW254PZ 可用于DC-DC转换器、电池充电器和稳压电路中,作为高效开关元件,提升系统能效。 2. 负载开关:在需要控制电源通断的场合,如笔记本电脑、平板和智能设备中,该MOSFET可用于控制外围设备的供电,实现低功耗管理。 3. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中,FDW254PZ 可作为驱动开关,实现对电机启停和转速的控制。 4. 工业控制:用于PLC、传感器模块和工业自动化设备中,作为信号或功率开关,提升系统响应速度和稳定性。 5. 消费电子:常见于智能手机、穿戴设备和智能家居产品中,用于电源切换、LED驱动等功能模块。 由于其封装小巧、性能稳定,FDW254PZ 特别适合空间受限、功耗敏感的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 9.2A 8-TSSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDW254PZ |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5880pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 96nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 9.2A,4.5V |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
功率-最大值 | 1W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Ta) |