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型号： IPD200N15N3GBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD200N15N3GBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD200N15N3GBTMA1价格参考。InfineonIPD200N15N3GBTMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 150V 50A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3。您可以下载IPD200N15N3GBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD200N15N3GBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的IPD200N15N3GBTMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能硅基场效应晶体管，广泛应用于高效率、高电流的电力电子系统中。该器件具有150V耐压、低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于对能效和热管理要求较高的场景。

典型应用场景包括：  
1. 电动工具与电池供电设备：由于其低导通损耗和高开关效率，常用于无刷直流电机（BLDC）驱动，提升续航能力和动力输出。  
2. 工业电源与DC-DC转换器：在高频率开关电源中作为主开关器件，实现高效电能转换，降低能量损耗。  
3. 电动汽车辅助系统：如车载充电机（OBC）、DC-DC变换器等，满足汽车级可靠性要求。  
4. 太阳能逆变器：用于光伏微逆或组串式逆变器中的功率转换级，提高整体系统效率。  
5. 电机驱动与工业自动化：在中小功率电机控制模块中提供快速响应和稳定性能。

该MOSFET采用先进的技术工艺，具备优良的热稳定性和抗雪崩能力，适合紧凑型设计和高温工作环境。其封装形式有利于散热和PCB布局优化，广泛服务于工业、消费类及汽车电子领域。

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