Datasheet下载- 型号： FQB20N06LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB20N06LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB20N06LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB20N06LTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB20N06LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB20N06LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB20N06LTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池充电器，因其具备低导通电阻和高效能特性，有助于提高能源转换效率。 2. 电机控制：可用于直流电机驱动器和步进电机控制器，支持快速开关操作，提升电机运行的稳定性和响应速度。 3. 负载开关：作为高效负载开关用于电源管理系统，实现对设备的快速通断控制，保护电路免受过载或短路损害。 4. 照明系统：应用于LED照明驱动电路中，支持高频率开关操作，有助于减小外围元件尺寸并提高系统效率。 5. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、游戏机等设备中的电源和控制电路。 该MOSFET采用TO-252封装，具备良好的热性能和电流承载能力，适合中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB20N06LTM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 55 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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