Datasheet下载- 型号： IXFH50N50P3
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH50N50P3由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH50N50P3价格参考。IXYSIXFH50N50P3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH50N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH50N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH50N50P3是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单通道FET系列。该型号适用于多种高电压、高功率应用场景，以下是其主要应用领域及特点： 1. 工业电源 - IXFH50N50P3的耐压值高达500V，适合用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器件。 - 在工业设备中，可用于高频逆变器、不间断电源（UPS）以及各种电源管理模块。 2. 电机驱动 - 该器件能够驱动中小功率电机，适用于家用电器、工业自动化设备中的电机控制。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少能耗，提高效率。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏发电系统中，IXFH50N50P3可用于MPPT（最大功率点跟踪）控制器和逆变电路中，实现高效的能量转换。 - 高压特性和快速开关速度使其在太阳能逆变器中表现出色。 4. 电动工具 - 适用于电池供电的电动工具（如电钻、电锯等）中的开关和驱动电路。 - 能够承受较高的电压波动，确保设备在恶劣环境下稳定运行。 5. 汽车电子 - 在车载电子系统中，可用于启动电机控制、电池管理系统（BMS）以及LED驱动电路。 - 其高压性能满足汽车电气系统的严苛要求。 6. 照明系统 - 可用于高压LED驱动电路，提供高效稳定的电流输出。 - 在气体放电灯（HID）或荧光灯镇流器中也有广泛应用。 性能优势 - 高耐压：500V的额定电压使其能够在高电压环境中可靠工作。 - 低导通电阻：降低功率损耗，提高系统效率。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适合高频应用。 - 高可靠性：IXYS品牌以其高质量和稳定性著称，适用于对可靠性要求较高的场景。 总之，IXFH50N50P3凭借其高压、高效和高可靠性的特点，广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH50N50P3Polar3™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH50N50P3 |
| Pd-PowerDissipation | 960 W |
| Pd-功率耗散 | 960 W |
| Qg-GateCharge | 85 nC |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4335pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 25A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 960W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar3, HiperFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | IXFH50N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
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