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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4227PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4227PBF价格参考¥8.64-¥9.25。International RectifierIRFB4227PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 65A(Tc) 330W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4227PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4227PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFB4227PBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: IRFB4227PBF适用于各种开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制,适合家电、工业设备和消费电子中的电机应用。 3. 负载切换: 在负载切换应用中,如USB充电器、电池管理系统(BMS)和汽车电子中,该MOSFET可以实现快速、可靠的开关功能。 4. 逆变器和变频器: 适用于小型逆变器和变频器的设计,支持高效的能量转换和精确的电流控制。 5. LED驱动: 在高亮度LED照明系统中,IRFB4227PBF可用于恒流驱动电路,确保LED的稳定工作。 6. 汽车电子: 该器件符合汽车级标准,可应用于车载电子设备,如电动车窗、座椅调节、雨刷控制系统等。 7. 通信设备: 在基站、路由器和其他通信设备中,作为功率开关元件,提供稳定的电源管理和信号处理能力。 总结来说,IRFB4227PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,适合于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等多种领域,尤其是在需要高效功率转换和低功耗的应用中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 65A TO-220ABMOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 65 A |
Id-连续漏极电流 | 65 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4227PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4227PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 330 W |
Pd-功率耗散 | 330 W |
Qg-GateCharge | 70 nC |
Qg-栅极电荷 | 70 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 24 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 24 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 20 ns |
下降时间 | 31 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24 毫欧 @ 46A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 330W |
功率耗散 | 330 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 24 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极电荷Qg | 70 nC |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 49 S |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 65 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfi4227pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfb4227pbf.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |