Datasheet下载- 型号： SI7862ADP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7862ADP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7862ADP-T1-E3价格参考。VishaySI7862ADP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7862ADP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7862ADP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7862ADP-T1-E3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理模块、电池供电系统以及负载开关电路等。由于具备低导通电阻（RDS(on)）和高开关效率，该器件特别适用于需要高效能与低功耗的场合，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的DC-DC转换器和电压调节模块。 此外，SI7862ADP-T1-E3 也常用于电机驱动、LED驱动电路及热插拔电源控制中，能够有效减少能量损耗并提升系统整体效率。其小型封装（如PowerPAK SO-8）有助于节省PCB空间，适合高密度布局的现代电子产品设计。在工业控制、通信设备和消费类电器中，该MOSFET可作为开关元件实现快速响应和稳定性能。总体而言，SI7862ADP-T1-E3 凭借其优异的电气特性与可靠性，适用于对效率、尺寸和热性能有较高要求的中低功率应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 18A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7862ADP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7340pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 29A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Ta） |
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