图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTH36N20T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTH36N20T价格参考。IXYSIXTH36N20T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTH36N20T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTH36N20T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXTH36N20T是一款N沟道MOSFET晶体管,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 开关电源(SMPS):IXTH36N20T具有200V的击穿电压和低导通电阻(典型值为0.36Ω),适用于各种开关电源电路,如降压、升压或反激式转换器。它能够高效地进行高频开关操作,从而提高电源转换效率。 2. 电机驱动:该器件可以用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关来控制电机的启动、停止及速度调节。其较低的Rds(on)有助于减少功耗并提升系统性能。 3. 负载切换与保护:在需要对负载进行快速开启/关闭控制的应用场合(例如汽车电子、工业自动化设备等),IXTH36N20T可以用作电子开关,同时提供过流保护功能。 4. 逆变器设计:这款MOSFET也适合应用于小型太阳能微逆变器或其他类型的逆变器中,用以实现交流-直流或直流-交流转换。 5. 脉宽调制(PWM)控制器:由于其出色的开关特性,IXTH36N20T非常适合作为PWM信号放大级中的核心元件,广泛应用于LED照明调光、音频功率放大等领域。 6. 电池管理系统(BMS):在锂电池组或多节电池串中,此型号可用于均衡电路或充放电路径管理,确保每节电池电压一致性和安全性。 总之,IXTH36N20T凭借其高耐压能力、良好散热特性和经济实惠的价格,在众多电力电子应用领域都表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXTH36N20T |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | - |
| 供应商器件封装 | TO-247 (IXTH) |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 36A (Tc) |