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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRF6631TRPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点,适用于以下主要场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、开关电源(SMPS),用于提高能效和减小电源体积。 2. 电机驱动:在电动工具、无人机、机器人等设备中,用于控制直流电机或步进电机的驱动电路。 3. 照明系统:包括LED驱动器、高频镇流器等,支持高亮度照明设备的调光与节能控制。 4. 汽车电子:如车载充电器、电池管理系统(BMS)、车身控制模块等,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 5. 工业自动化:用于PLC、变频器、传感器供电模块等工业设备中,实现快速开关与高效率功率控制。 该MOSFET适合高频开关应用,具备良好的热稳定性和耐用性,是多种高效率、紧凑型电源设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6631TRPBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1450pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.8 毫欧 @ 13A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ SQ |
其它名称 | IRF6631TRPBFDKR |
功率-最大值 | 2.2W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SQ |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 57A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6631.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6631.spi |