Datasheet下载- 型号： PSMN038-100YLX
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN038-100YLX由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN038-100YLX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN038-100YLX封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN038-100YLX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN038-100YLX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN038-100YLX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点。其主要参数包括：漏源电压（VDS）为100V，连续漏极电流（ID）可达约130A（具体值视条件而定），适用于高效能功率转换场景。 该器件广泛应用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于提高转换效率和减小体积。 2. 电机控制：用于电动汽车、工业自动化或家用电器中的电机驱动电路，提供快速开关和低损耗特性。 3. 电池管理系统（BMS）：在储能系统、电动工具或新能源设备中，作为充放电控制开关。 4. 负载开关与电源分配：用于服务器、通信设备或工业控制系统中实现高效率的电源分配与负载切换。 5. 汽车电子：如车载充电器、起停系统或LED照明驱动中，满足汽车环境对可靠性和效率的严苛要求。 综上，PSMN038-100YLX 凭借其高性能参数，适用于对效率、散热和可靠性有较高要求的功率电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 1905 pF |
| Ciss-输入电容 | 1905 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 30A LFPAK56MOSFET N-channel 100 V 37.5 mo FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN038-100YLX- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN038-100YLX |
| Pd-PowerDissipation | 94.9 W |
| Pd-功率耗散 | 94.9 W |
| Qg-GateCharge | 21.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.6 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 37.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.7 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1905pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 37.5 毫欧 @ 5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-11429-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 94.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 37.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK56-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Triple Common Source |
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