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产品简介:
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FQA7N90M_F109 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) 该 MOSFET 的高电压耐受能力(900V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动 在工业控制和家用电器中,FQA7N90M 可用于驱动中小型电机,特别是在需要高电压操作的场景下,如风扇、泵或压缩机。 3. 逆变器 适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持高效能量转换。 4. 电磁阀控制 在工业自动化设备中,这款 MOSFET 可用作电磁阀的开关元件,提供稳定可靠的控制性能。 5. 负载切换 用于需要高电压切换的应用,例如汽车电子系统中的负载切换或 LED 照明驱动。 6. 保护电路 在过流保护、短路保护等电路设计中,FQA7N90M 可作为关键的开关元件,确保系统的安全运行。 这款 MOSFET 具有低导通电阻(典型值为 0.85 Ω)、快速开关速度和出色的热稳定性,能够满足多种高压、高频应用场景的需求。同时,其小型封装(如 DPAK 或类似的表面贴装形式)也便于 PCB 设计和空间优化。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA7N90M_F109 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1880pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 欧姆 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-3PN |
功率-最大值 | 210W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |