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  • 型号: FQA7N90M_F109
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQA7N90M_F109由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA7N90M_F109价格参考。Fairchild SemiconductorFQA7N90M_F109封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQA7N90M_F109参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQA7N90M_F109 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQA7N90M_F109 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 开关电源(SMPS)  
   该 MOSFET 的高电压耐受能力(900V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。

2. 电机驱动  
   在工业控制和家用电器中,FQA7N90M 可用于驱动中小型电机,特别是在需要高电压操作的场景下,如风扇、泵或压缩机。

3. 逆变器  
   适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,用于将直流电转换为交流电,支持高效能量转换。

4. 电磁阀控制  
   在工业自动化设备中,这款 MOSFET 可用作电磁阀的开关元件,提供稳定可靠的控制性能。

5. 负载切换  
   用于需要高电压切换的应用,例如汽车电子系统中的负载切换或 LED 照明驱动。

6. 保护电路  
   在过流保护、短路保护等电路设计中,FQA7N90M 可作为关键的开关元件,确保系统的安全运行。

这款 MOSFET 具有低导通电阻(典型值为 0.85 Ω)、快速开关速度和出色的热稳定性,能够满足多种高压、高频应用场景的需求。同时,其小型封装(如 DPAK 或类似的表面贴装形式)也便于 PCB 设计和空间优化。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQA7N90M_F109

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1880pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.8 欧姆 @ 3.5A,10V

供应商器件封装

TO-3PN

功率-最大值

210W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Tc)

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