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产品简介:
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FQA18N50V2是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效、高耐压和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源适配器,因其具备高耐压(500V)和较低的导通电阻(Rds(on)),有助于提升能效并减少发热。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具及家电中的电机控制电路中,作为高速开关使用,提供稳定可靠的功率控制。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和逆变器中用于电能转换,实现直流电向交流电的高效转换。 4. 照明系统:如LED路灯或大功率照明设备的电源控制模块中,支持高频开关工作,提升整体效率。 5. 新能源领域:例如太阳能逆变器、储能系统等对功率器件要求较高的绿色能源应用中。 该器件采用TO-262封装,便于散热设计,适合中高功率级别的应用需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQA18N50V2 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3290pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 265 毫欧 @ 10A,10V |
供应商器件封装 | TO-3P |
功率-最大值 | 277W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
标准包装 | 450 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |