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SUD50P04-08-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD50P04-08-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD50P04-08-GE3价格参考。VishaySUD50P04-08-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 40V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 73.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)。您可以下载SUD50P04-08-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD50P04-08-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD50P04-08-GE3 是一款P沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和优良的开关性能。该器件广泛应用于需要高效功率控制和管理的场景。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理电路,用于电池供电系统的负载开关或反向电流保护;在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关,提升转换效率;适用于电机驱动电路,尤其在小型直流电机或步进电机控制中实现快速开关与低功耗运行;还可用于热插拔控制器、电源多路复用及过压保护电路中,提供可靠的电压和电流控制。 此外,SUD50P04-08-GE3采用先进的封装技术,具备良好的散热性能,适合空间受限但对功率密度要求较高的应用环境,如工业控制模块、通信设备和消费类电子产品。其稳定性和耐用性也使其适用于汽车电子中的辅助电源系统(非引擎舱应用)。总体而言,该MOSFET适用于中等功率、注重能效与可靠性的开关电源与功率控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 50A DPAKMOSFET 40V 50A P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 50 A |
| Id-连续漏极电流 | - 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD50P04-08-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SUD50P04-08-GE3SUD50P04-08-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 73.5 W |
| Pd-功率耗散 | 73.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5380pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 159nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.1 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
| 其它名称 | SUD50P04-08-GE3CT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |
| 配置 | Single |